Transistor MOSFET de potencia canal P, con Vds de 100 V, Id de 12 A y encapsulado TO-220 para una conmutación eficiente
Un transistor MOSFET Canal P de 100 V, 12 A, 0.3 Ω y encapsulado TO-220 es un dispositivo de potencia diseñado para aplicaciones de conmutación y control de corriente en circuitos de alta eficiencia.
Con una tensión de drenador-fuente (Vds) de 100 V y una corriente de drenador (Id) de 12A, este transistor es ideal para sistemas de alimentación, inversores y aplicaciones de conmutación rápida.
Su baja resistencia Rds(on) de 0.3 Ω permite minimizar las pérdidas de energía, mientras que su encapsulado TO-220 facilita su integración en disipadores térmicos para una mejor disipación de calor.
Características destacadas
- Tipo de transistor: MOSFET de canal P.
- Tensión de drenador-fuente (Vds): 100 V, adecuado para aplicaciones de media potencia.
- Corriente de drenador (Id): 12 A, permite manejar cargas considerables.
- Resistencia de encendido (Rds-on): 0.3 Ω, optimiza la eficiencia del circuito.
- Encapsulado: TO-220, con facilidad para disipación térmica.
- Aplicación en conmutación: Operación eficiente en sistemas de control de potencia.
Aplicaciones
- Fuentes de alimentación conmutadas.
- Control de motores y actuadores eléctricos.
- Inversores y convertidores de energía.
- Protección contra polaridad inversa en circuitos electrónicos.
- Aplicaciones de baja resistencia y alta eficiencia en electrónica de potencia.
Nota: este transistor MOSFET Canal P de 100 V, 12 A, 0.3 Ω y encapsulado TO-220 puede proceder de distintos fabricantes. Las especificaciones técnicas se mantienen constantes, aunque el diseño físico puede variar según el proveedor.
