Name: 10ASY29 (TRANSISTOR DISCRETO POL=Ge-NPN VCBO(V)=25 VCEO(V)=20 ICM(A)=0,2 POTTOT(W)=0,15 CAJA=TO-5)
SKU: 10ASY29
Availability: InStock

10ASY29 (TRANSISTOR DISCRETO POL=Ge-NPN VCBO(V)=25 VCEO(V)=20 ICM(A)=0,2 POTTOT(W)=0,15 CAJA=TO-5)

3,38 € IVA no incluido

Disponible 1 en stock

Este artículo puede provenir de diversos fabricantes

Descuentos / Precio por unidad

11-50	3,04 €
51-100	2,87 €
101-500	2,54 €
501-1000	2,37 €

Para cantidades superiores consultar precio

Descripción

TRANSISTOR DISCRETO POL=Ge-NPN VCBO(V)=25 VCEO(V)=20 ICM(A)=0,2 POTTOT(W)=0,15 CAJA=TO-5

Valoraciones

No hay valoraciones aún.

Sé el primero en valorar “10ASY29 (TRANSISTOR DISCRETO POL=Ge-NPN VCBO(V)=25 VCEO(V)=20 ICM(A)=0,2 POTTOT(W)=0,15 CAJA=TO-5)”

10ASY29 (TRANSISTOR DISCRETO POL=Ge-NPN VCBO(V)=25 VCEO(V)=20 ICM(A)=0,2 POTTOT(W)=0,15 CAJA=TO-5)

Descripción

Valoraciones

Productos relacionados

000BAS31 (DIODO RAPIDO If(AV)(mA)=200 Vrrm(Voltios)=120 Trr(nsg)=50 PACKAGE= SOT-23)

000BAS40LT1 (DIODO SCHOTTKY If(AV)(mA)=120 Vrrm(Voltios)=40 PACKAGE=SOT-23)

000BAS16 (DIODO RAPIDO If(AV)(mA)=200 Vrrm(Voltios)=85 Trr(nsg)=6 PACKAGE= SOT-23)